Унч на полевых транзисторах своими руками: Project 101 – усилитель на полевых транзисторах от Рода Эллиота

Содержание

УНЧ на полевых транзисторах - радиоэлектроника, схемы и статьи

Ниже приведены принципиальные схемы и статьи по тематике "УНЧ на полевых транзисторах" на сайте по радиоэлектронике и радиохобби RadioStorage.net .

Что такое "УНЧ на полевых транзисторах" и где это применяется, принципиальные схемы самодельных устройств которые касаются термина "УНЧ на полевых транзисторах".

Приведена электронная принципиальная схема несложного высококачественного усилителя мощности ЗЧ на 20 Ватт, выполнена полностью на транзисторах, на выходе - полевые транзисторы КП904. Схема простого и мощного усилителя низкой частоты с выходным каскадом на полевых транзисторах КП912. Максимальная выходная мощность - 65 Ватт. Приведена принципиальная схема широкополосного усилителя мощности ЗЧ (УМЗЧ), выполненного по симметричной схеме на полевых транзисторах КП904. В радиолюбительской практике широкое распространение получил усилитель мощности ЗЧ (УМЗЧ), выполненный по симметричной схеме. Комплементарные биполярные транзисторы его входного каскада включены по схеме двухтактного дифференциального усилителя, а следующего за ним - по схеме .
.. Принципиальная схема усилителя мощности с МДП -транзисторами в выходном каскаде, мощность порядка 12Вт. Схема приведена на следующем рисунке. Его основные технические характеристики ... Одним из эффективных средств улучшения качества звуковоспроизведения является применение электронных разделительных фильтров на входах полосовых УМЗЧ. Как известно, использование LC пассивных фильтров на выходе УМЗЧ приводит к росту интермодуляционных ... Каскодное включение полевого и биполярного транзисторов позволяет получить сочетание лучших свойств тех и других транзисторов... В усилителе мощности звуковой частоты класса АВ, описанном в этой статье, применяются в выходном каскаде пара комплементарных полевых МОП транзисторов. Эта особенность позволяет улучшить рабочие характеристики по сравнению с эквивалентным выходным каскадом на биполярных... Построение усилителей мощности звуковой частоты (УМЗЧ) на полевых транзисторах привлекает разработчиков возможностью достижения «ламповой» мягкости звучания (вольтамперные характеристики полевых транзисторов очень похожи на аналогичные характеристики вукуумных ламп).
.. Карел Бартон построил свой High-End УМЗЧ на полевых транзисторах с гексагональной структурой (HEXFET фирмы International Rectifier). Входные каскады выполнены на дискретных биполярных транзисторах с использованием симметричной дифференциально-каскодной схемотехники... «Полевой» УМЗЧ Эндре Пирета заметно прост, но также соответствует нормам высококачественного звуковоспроизведения. Оригинально (без привычных дифференциальных усилителей) решен входной каскад — это двухтактный комплементарный каскад ...

Предварительный усилитель на полевом транзисторе


Данное устройство позволяет подключить динамический микрофон, электрогитару и прочие источники сигнала с высоким выходным сопротивлением к звуковой карте компьютера. Устройство не вносит частотных искажений в звуковом диапазоне частот, а также искажений, связанных с нелинейностью усилительного прибора, поскольку построена по схеме истокового повторителя.

Иными словами, если вас хоть немного заботит качество записываемого звука, у вас неплохая звуковая карта и дорогой микрофон, то это устройство – то, что вам необходимо.

Немного о схеме. Устройство начинает работать, если в разъем J1 вставляется моно-джэк, или, если по-научному, штекер диаметром 6,35 мм (1/4 дюйма). При этом через джек минусовой контакт батареи питания замыкается на минус питания и устройство начинает работу. Также вторым контактом этого штекера входной сигнал подается на резистор R1, обеспечивающий высокое входное сопротивление устройства. Конденсатор C2 производит частотную корректировку, обрезая частоты выше звукового диапазона. Резисторы R2-R4 обеспечивают необходимое смещение на затворе полевого транзистора.


В данной конструкции применен полевой транзистор КП303 с индексом Е. При использовании транзистора с другим индексом возможно придется уменьшить номиналы резисторов R3 и R4. Резистор R5 является нагрузкой усилительного каскада, с него звуковой сигнал снимается конденсатором C5 и через резистор R7 подается на вход звуковой карты компьютера.

Диод VD1 в схеме выполняет функцию защиты от дурака от случайной переполюсовки, поскольку конструктивные особенности разъема батареи «Крона» не исключают такой возможности.

Диод лучше применить германиевый, поскольку падение напряжения на нем будет меньше. Но это совершенно не критично, его можно заменить любым маломощным кремниевым диодом, например КД521, КД522, 1N4148 и т.п.

Устройство собирается на плате из однослойнофольгированного текстолита размерами 47х26мм. Трассировка платы в программе Dip Trace будет приведена ниже. Но можно обойтись и без изготовления платы, а собрать все на универсальной монтажной плате (это та, которая с кучей дырочек) такого же размера.



Корпус устройства изготавливается из однослойного текстолита для полного экранирования усилителя.

Размеры его деталей следующие:
- боковые стенки 60х50 мм – 2 штуки
- передняя стенка 50х30 мм – 1 штука
- задняя стенка 46х30 мм – 1 штука. Размер 46 миллиметров не критичен, может варьироваться от 50 мм до 35 мм. Все зависит от того, как вы хотите устанавливать батарею питания.
- нижняя и промежуточная стенки 55х30 мм

Стенки корпуса спаиваются между собой припоем.

Фольга на всех стенках должна оказаться внутри корпуса. Старайтесь не перегревать текстолит, поскольку фольга может легко отслоиться.

Первым делом спаиваются между собой все стенки, кроме задней. Затем просверливаются отверстия для разъема джэка диаметром 10 мм, отверстие для проводов питания, где-то 3 мм в диаметре и такое же в задней стенке для экранированного провода с миниджэком.

Также в месте крепления задней стенки припаивается скоба из толстой медной проволоки, в которую будет вставляться низ задней стенки.

После этого нужно будет приклеить разъем для «Кроны». Кстати, его можно взять из уже отработавшей кроны, как я всегда и делаю. Клеится этот разъем термоклеем к задней стороне передней стенки. Важно чтобы ни один из контактов разъема не касался фольги корпуса.



После этого к схеме подпаиваются провода питания и третий провод, связывающий фольгу корпуса и «землю» схемы. Также припаивается экранированный выходной провод, схема устанавливается в корпус и задняя стенка запаивается вверху по бокам.

Становитесь автором сайта, публикуйте собственные статьи, описания самоделок с оплатой за текст. Подробнее здесь.

Однотактный усилитель Хьюстона класса А на 2SK1058 MOSFET-е. ZCA — усилитель без деталей


Мне захотелось построить усилитель со следующими параметрами:
1. Без ООС, так называемый вариант «0-NFB» (zero negative feed back)
2. Чистый класс А
3. Однотактный
Нельсон Пасс (Nelson Pass) проделал огромную работу в этом направлении при строительстве своего усилителя «Zen», но я решил пойти еще дальше! Я построю «Усилитель Без Деталей» — Zero Component Amplifier (ZCA).

Думаете, я пытался найти «Священный Грааль» в усилительной схемотехнике, этакий прямой кусок серебрянного провода, дающий чистое усиление без искажений?

Содержание / Contents

Несомненно, чтобы усилитель назывался усилителем, он должен содержать активные компоненты, обеспечивающие усиление. Меня всегда восхищали однотактные ламповые усилители. Как такое вообще возможно? Посмотрите, одна лампа, пара резисторов и выходной трансформатор. Поэтому я и решил создать усилитель на полевом транзисторе, придерживаясь такой же простоты дизайна.

Один канальный полевой униполярный МОП-транзистор, пригодный для аудио, парочка резисторов и конденсаторов, и конечно же умощненный хорошо «профильтрованный» блок питанния. Схема такого усилителя представлена на рис. 1.


Рис. 1: Схема однотактного усилителя класса A на MOSFET-е

Применен полевик 2SK1058 от Hitachi. Это N-канальный MOSFET. Внутренняя схема и распиновка для 2SK1058 представлена на рис. 2.


Рис. 2: Hitachi 2SK1058 N-Channel MOSFET

Я использовал конденсаторы Sprague Semiconductor Group во входных цепях и большие электролиты на выходе с «бутербродом» из полиэстерного конденсатора на 10 мф. Все резисторы, если не указано иначе, на 0,5 Ватт. Четыре 10-ти Ваттных проволочных резистора работают в качестве нагрузки. Внимание, эти резисторы рассеивают около 30 Ватт и становятся чрезвычайно горячими даже при простое усилителя.

Да, это класс А, а низкий КПД — расплата. Он съедает 60 Ватт, чтобы выдать ок. 5Вт! Мне пришлось использовать мощный и качественный радиатор с эффективным теплоотведением (0.784 °C/Ватт).


Фото 1: Печатная плата усилителя в сбореБлок питания состоит из трансформатора мощностью 160 Ватт, нагруженного на 25-ти Амперный выпрямительный мост, и обеспечивает напряжени ок. 24 Вольт. Используется П-образный фильтр (конденсатор — дроссель — конденсатор) состоящий из электролитов на 10.000 Мф и 5-ти Амперных дросселей индуктивностью 10 мГн.

Рис. 3: Схема блока питания
Фото 2: Усилитель в сборе
Фото 3: Усилитель в сборе, вид сзадиСмещение задаётся резистором на 1 мОм и потенциометром на 100 кОм. Просто установите потенциометром половину напряжения питания в точке соединения MOSFET-а и нагрузочного резистора.Я прослушивал мой усилитель с ламповым предусилителем на 12AU7, т.  к. он обеспечивает наиболее чистый звук. Я понятия не имею об коэффициентах искажений этого усилителя и т. п. цифрах, лишь скажу, что у него точная звукопередача и деликатно текстурированный тембральный окрас.

Для работы с усилителем требуется высокочувствительная, эффективная аккустика, т. к. он выдаёт ок. 5 Ватт RMS (и до 15 Ватт на пиках, что я ясно наблюдал на экране осциллографа). Передача басса оказалась значительно лучшей, чем можно было ожидать от такого решения.

Усилитель с легкостью раскачивает мои 12-ти дюймовые трех-полосные колонки.

Усилитель удался. Конечно, не совсем «без деталей», но очень близко! Один 18-ти баксовый полевик надрывает задницу, чтобы подарить Вам офигенное впечатление от прослушивания. Не просите от него больше, чем ожидали.

Усилитель воспроизводит все аккустические инструменты с несравненным натуралистичным качеством.
Простое джазовое трио, классический квартет или нежный мужской/женский вокал показывают то, для чего этот усилитель и был сделан — красоту!

• Чувствительность усилителя по входу низкая, около 2 Вольт. Если такого источника у вас нет, то предусилитель НЕОБХОДИМ. Любой, с выходом 1-2 Вольта.

• Используйте чувствительные АС 5-10 Вт с легкими (бумага, волокна и пр.) диффузорами, как для ламповых усилителей небольшой мощности.

• Оригинальный транзистор 2SK1058 найти нынче практически невозможно. У китайцев сейчас есть предложения по 2SK1058, вот только гарантий, как обычно, нет. Можно получить битые, перемаркированные, отбракованные или вполне здоровые.

Можно и нужно пробовать, но на свой риск.
Обратие внимание на корпус 2SK1058 (см. выше в статье), он очень своеобразный, часть объявлений по фоткам сразу можно исключить.

Пробуйте разные варианты, сравнивая параметры в датащитах, ищите доступный транзистор с подобными параметрами. И даже пробуйте просто на слух.
За неимением 2SK1058, по при большом желании, люди собирают на неподходящих IRF530, IRF540, IRF610 и пр.

Всем Доброй Удачи!
Игорь

Камрад, здесь железо для этого проекта

 

Простой усилитель на транзисторах сделать самому своими руками. Усилитель на одном транзисторе: схема

Усилитель на транзисторах, несмотря на свою уже долгую историю, остается излюбленным предметом исследования как начинающих, так и маститых радиолюбителей. И это понятно. Он является непременной составной частью самых массовых радиолюбительских устройств: радиоприемников и усилителей низкой (звуковой) частоты. Мы рассмотрим, как строятся простейшие усилители низкой частоты на транзисторах.

В любом теле- или радиоприемнике, в каждом музыкальном центре или усилителе звука можно найти транзисторные усилители звука (низкой частоты – НЧ). Разница между звуковыми транзисторными усилителями и другими видами заключается в их частотных характеристиках.

Звуковой усилитель на транзисторах имеет равномерную частотную характеристику в полосе частот от 15 Гц до 20 кГц. Это означает, что все входные сигналы с частотой внутри этого диапазона усилитель преобразует (усиливает) примерно одинаково. На рисунке ниже в координатах «коэффициент усиления усилителя Ку – частота входного сигнала» показана идеальная кривая частотной характеристики для звукового усилителя.

Вид частотной характеристики усилителя определяется электрорадиоэлементами (ЭРЭ) его схемы, и прежде всего самими транзисторами. Звуковой усилитель на транзисторах обычно собран на так называемых низко- и среднечастотных транзисторах с суммарной полосой пропускания входных сигналов от десятков и сотен Гц до 30 кГц.

Класс работы усилителя

Как известно, в зависимости от степени непрерывности протекания тока на протяжении его периода через транзисторный усилительный каскад (усилитель) различают следующие классы его работы: "А", "B", "AB", "C", "D".

В классе работы ток "А" через каскад протекает на протяжении 100 % периода входного сигнала. Работу каскада в этом классе иллюстрирует следующий рисунок.

В классе работы усилительного каскада "AB" ток через него протекает более чем 50 %, но менее чем 100 % периода входного сигнала (см. рисунок ниже).

В классе работы каскада "В" ток через него протекает ровно 50 % периода входного сигнала, как это иллюстрирует рисунок.

И наконец в классе работы каскада "C" ток через него протекает менее чем 50 % периода входного сигнала.

НЧ-усилитель на транзисторах: искажения в основных классах работы

В рабочей области транзисторный усилитель класса "А" обладает малым уровнем нелинейных искажений. Но если сигнал имеет импульсные выбросы по напряжению, приводящие к насыщению транзисторов, то вокруг каждой «штатной» гармоники выходного сигнала появляются высшие гармоники (вплоть до 11-й). Это вызывает феномен так называемого транзисторного, или металлического, звука.

Если НЧ-усилители мощности на транзисторах имеют нестабилизированное питание, то их выходные сигналы модулируются по амплитуде вблизи частоты сети. Это ведет к жёсткости звука на левом краю частотной характеристики. Различные же способы стабилизации напряжения делают конструкцию усилителя более сложной.

Типовой КПД однотактного усилителя класса А не превышает 20 % из-за постоянно открытого транзистора и непрерывного протекания постоянной составляющей тока. Можно выполнить усилитель класса А двухтактным, КПД несколько повысится, но полуволны сигнала станут более несимметричными. Перевод же каскада из класса работы "А" в класс работы "АВ" повышает вчетверо нелинейные искажения, хотя КПД его схемы при этом повышается.

В усилителях же классов "АВ" и "В" искажения нарастают по мере снижения уровня сигнала. Невольно хочется врубить такой усилитель погромче для полноты ощущений мощи и динамики музыки, но зачастую это мало помогает.

Промежуточные классы работы

У класса работы "А" имеется разновидность – класс "А+". При этом низковольтные входные транзисторы усилителя этого класса работают в классе "А", а высоковольтные выходные транзисторы усилителя при превышении их входными сигналами определенного уровня переходят в классы "В" или "АВ". Экономичность таких каскадов лучше, чем в чистом классе "А", а нелинейные искажения меньше (до 0,003 %). Однако звук у них также "металлический" из-за наличия высших гармоник в выходном сигнале.

У усилителей еще одного класса - "АА" степень нелинейных искажений еще ниже – около 0,0005 %, но высшие гармоники также присутствуют.

Возврат к транзисторному усилителю класса "А"?

Сегодня многие специалисты в области качественного звуковоспроизведения ратуют за возврат к ламповым усилителям, поскольку уровень нелинейных искажений и высших гармоник, вносимых ими в выходной сигнал, заведомо ниже, чем у транзисторов. Однако эти достоинства в немалой степени нивелируются необходимостью согласующего трансформатора между высокоомным ламповым выходным каскадом и низкоомными звуковыми колонками. Впрочем, с трансформаторным выходом может быть сделан и простой усилитель на транзисторах, что будет показано ниже.

Существует и точка зрения, что предельное качество звучания может обеспечить только гибридный лампово-транзисторный усилитель, все каскады которого являются однотактными, не охвачены отрицательными обратными связями и работают в классе "А". То есть такой повторитель мощности представляет собой усилитель на одном транзисторе. Схема его может иметь предельно достижимый КПД (в классе "А") не более 50 %. Но ни мощность, ни КПД усилителя не являются показателями качества звуковоспроизведения. При этом особое значение приобретают качество и линейность характеристик всех ЭРЭ в схеме.

Поскольку однотактные схемы получают такую перспективу, мы рассмотрим ниже их возможные варианты.

Однотактный усилитель на одном транзисторе

Схема его, выполненная с общим эмиттером и R-C-связями по входному и выходному сигналам для работы в классе "А", приведена на рисунке ниже.

На ней показан транзистор Q1 структуры n-p-n. Его коллектор через токоограничивающий резистор R3 присоединен к положительному выводу +Vcc, а эмиттер - к -Vcc. Усилитель на транзисторе структуры p-n-p будет иметь такую же схему, но выводы источника питания поменяются местами.

C1 – разделительный конденсатор, посредством которого источник переменного входного сигнала отделяется от источника постоянного напряжения Vcc. При этом С1 не препятствует прохождению переменного входного тока через переход "база - эмиттер транзистора Q1". Резисторы R1 и R2 совместно с сопротивлением перехода «Э - Б» образуют делитель напряжения Vcc для выбора рабочей точки транзистора Q1 в статическом режиме. Типичной для этой схемы является величина R2 = 1 кОм, а положение рабочей точки - Vcc/2. R3 является нагрузочным резистором коллекторной цепи и служит для создания на коллекторе переменного напряжения выходного сигнала.

Предположим, что Vcc = 20 В, R2 = 1 кОм, а коэффициент усиления по току h = 150. Напряжение на эмиттере выбираем Ve = 9 В, а падение напряжения на переходе «Э - Б» принимаем равным Vbe = 0,7 В. Эта величина соответствует так называемому кремниевому транзистору. Если бы мы рассматривали усилитель на германиевых транзисторах, то падение напряжения на открытом переходе «Э - Б» было бы равно Vbe = 0,3 В.

Ток эмиттера, примерно равный току коллектора

Ie = 9 B/1 кОм = 9 мА ≈ Ic.

Ток базы Ib = Ic/h = 9 мА/150 = 60 мкА.

Падение напряжения на резисторе R1

V(R1) = Vcc - Vb = Vcc – (Vbe + Ve) = 20 В – 9,7 В = 10,3 В,

R1 = V(R1)/Ib = 10,3 В/60 мкА = 172 кОм.

С2 нужен для создания цепи прохождения переменной составляющей тока эмиттера (фактически тока коллектора). Если бы его не было, то резистор R2 сильно ограничивал бы переменную составляющую, так что рассматриваемый усилитель на биполярном транзисторе имел бы низкий коэффициент усиления по току.

В наших расчетах мы принимали, что Ic = Ib h, где Ib – ток базы, втекающий в нее из эмиттера и возникающий при подаче на базу напряжения смещения. Однако через базу всегда (как при наличии смещения, так и без него) протекает еще и ток утечки из коллектора Icb0. Поэтому

Лампово-транзисторный усилитель НЧ своими руками.

Делаем несложный лампово-транзисторный усилитель низкой частоты своими руками.

Усилители низкой ( или звуковой) частоты находят широчайшее применение в современном мире.  Практически ни одно устройство, способное воспроизвести звук, не обходится без усилителя НЧ. Радиолюбители тему построения  усилителей НЧ также не обходят стороной и изготавливают усилители НЧ как на интегральных микросхемах, так и на транзисторах и даже на радиолампах.

Номенклатура выпускаемых промышленностью интегральных усилителей НЧ огромна, и позволяет создать усилитель на любой вкус. Но, представляет определенный интерес изготовление усилителя НЧ на дискретных элементах, да еще и экзотических (как для сегодняшних дней) –электронных лампах и германиевых транзисторах.

В этой статье будет рассказано об изготовлении  лампово-транзисторного усилителя низкой частоты небольшой (до 4 Вт) мощности.

Для  повторения выбрана схема стереофонического усилителя НЧ из брошюры «В помощь радиолюбителю» №53 , 1976 год.

Почему именно эта схема выбрана для повторения? Из-за ее очень необычного и своеобразного построения. Это лампово-транзисторный усилитель. Причем выходной каскад собран на мощных кремниевых транзисторах П702 , а  каскады предварительного усиления собраны на электронной лампе 6Н23П. Изюминкой схемы является  очень низкое анодное напряжение лампы 6Н23П-всего 18 В. Другими словами – в данной конструкции отсутствуют опасные высокие напряжения, обычные для электронных ламп- 200…250В.

Данный усилитель не претендует на очень высокие параметры, но для бытовых применений вполне себе подходит.

Оригинальная схема  лампово-транзисторного усилителя НЧ из брошюры ВРЛ № 53 представлена ниже:

Входной сигнал через конденсатор 2С1 поступает на сетку левого ( по схеме) триода лампы 2Л1. Усиленный сигнал снимается с анода и поступает ( через эмиттерный повторитель на транзисторе 2Т1) на блок регулирования тембра. Далее сигнал поступает на регулятор громкости ( резистор R1), и далее, через конденсатор 2С3, на сетку правого ( по схеме) триода лампы 2Л1. Усиленный сигнал снимается с анода и подается на базу транзистора эмиттерного повторителя 2Т2. Эмиттерный повторитель служит для согласования высокого выходного сопротивления лампы 2Л1 и относительно низкого  входного сопротивления  оконечного усилителя мощности. Оконечный усилитель мощности собран на транзисторах 4Т1…4Т5. В выходной ступени применены мощные кремниевые транзисторы П702. Усилитель питается напряжением минус 30 В. Аноды ламп запитаны напряжением 18 В от параметрического стабилизатора на стабилитронах 2Д1 и 2Д2.

Накал лампы 2Л1 запитан постоянным напряжением 6,3 В.

Вот, вкратце, все об усилителе НЧ из брошюры ВРЛ №53…

 

Описание изготовленного мною экземпляра лампово-транзисторного усилителя НЧ.

 Я не ставил целью заиметь  стереоусилитель, поэтому был изготовлен один канал усилителя.

Мне пришлось несколько видоизменить схему по причине отсутствия  древних транзисторов П702. Усилитель я собирал как опытный образец, поэтому исключил из схемы блок регулирования тембра и эмиттерный повторитель на транзисторе 2Т1. Оконечный усилитель собран по иной схеме ввиду  отсутствия, как уже указывалось, транзисторов П702.

С целью соответствия  схемы духу времени ( 70-е года прошлого столетия), решено было оконечный усилитель собрать полностью на германиевых транзисторах. В выходном каскаде применены мощные германиевые транзисторы П214. Напряжение питания выбрано минус 24 В.

Изготовленный мною лампово-транзисторный усилитель имеет следующие технические характеристики:

-выходная мощность на нагрузке  5 Ом-4 Вт;

-чувствительность –около 30 мВ;

-уровень шумов и фона при закороченном  входе- 20 мВ;

-частотная характеристика при неравномерности +/- 1 дБ- 50 Гц…18 кГц.

 

Принципиальная фактическая схема лампово-транзисторного усилителя:

Входной сигнал через конденсатор С1 поступает на сетку левого (по схеме) триода электронной лампы  VL1. В качестве VL1 использована лампа двойной триод типа 6Н23П. Данная лампа содержит в одном баллоне два идентичных триода.Применение электронной лампы во входном каскаде обеспечивает получение высокого входного сопротивления  усилителя при минимуме шумов.  Усиленный примерно в 4 раза сигнал снимается с анода лампы и через регулятор громкости R4 подается на сетку правого (по схеме) триода лампы VL1. Далее усиленный сигнал поступает на базу транзистора VT1, на котором собран эмиттерный повторитель. Суммарный коэффициент усиления по напряжению обоих триодов лампы  составляет около 16 ( по 4 на каждый каскад). Лампа работает при низком анодном напряжении-около 20 В. Накал лампы питается постоянным напряжением 6 В.  Для питания накала лампы VL1 применен интегральный стабилизатор типа 7906 (не путать с 7806) на напряжение 6 В, который предназначен для работы в цепях, где на общий провод подан плюс источника питания. Ток накала лампы составляет около 300 мА, поэтому интегральный стабилизатор необходимо установить на небольшой радиатор.

Разумеется, можно применить и питание накала ламп от соответствующей по напряжению обмотки силового трансформатора.

 

Эмиттерный повторитель на транзисторе VT1 служит для согласования высокого выходного сопротивления лампы VL1 с низким входным сопротивлением оконечного усилителя. Оконечный усилитель собран по традиционной схеме полностью на германиевых транзисторах. В выходном каскаде работают транзисторы типа П214, установленные на радиаторы:

Налаживание усилителя не составляет особого труда.

Режимы работы лампы и транзисторов указаны на схеме. Каскады предварительного усиления наладки не требуют и при исправной лампе работают сразу.

Подбором резистора R14 устанавливают на средней точке оконечного усилителя напряжение, равное половине напряжения питания-минус 12 В. Ток покоя (примерно 40 мА ) устанавливается подбором резистора R15.

Печатная плата изготовлена методом ЛУТ:

Расположение основных узлов на плате :

Поскольку этот усилитель собирался как экспериментальный прототип, регулятор усиления я разместил прямо на плате. В других случаях этот регулятор, конечно же, размещается на передней панели устройства.

Общий вид собранного лампово-транзисторного УНЧ:

Для получения большей выходной мощности можно вместо использованного мной оконечного усилителя  ( выделен на принципиальной схеме пунктирным прямоугольником) применить более мощный. Схем  подобных усилителей полно в интернете-здесь есть простор для творчества.

 

Этот лампово-транзисторный усилитель НЧ изготовлен был по просьбе моего товарища для озвучивания радиопередач в  гараже))).. Но он может быть применен и как внешний УНЧ для ноутбука, планшета и тому подобное. К нему можно даже подключить электрогитару, или создать на его основе комбоусилитель для электронных музыкальных инструментов.

Небольшое видео о работе этого лампово-транзисторного усилителя НЧ:

 

 

Германиевый сабвуферный усилитель

Здравствуйте дорогие аудиофилы. Продолжая описывать этапы создания сабвуфера для лампового УНЧ, расскажем как мы докатились до германиевого сабвуферного усилителя.

Все началось с подогретого в сети любопытства: А как же звучит германий?
По-быстрому и почти безвозмездно нашли электрофон «Рига», с классической пяти-транзисторной схемой (тембр и все что до — отключили). Заменили электролиты и транзисторы на П416Б, МП39Б, МП37А. П213 оставили родные. Перешли к прослушиванию.

То что мы услышали заслуживает отдельной статьи, но особо понравилось как звучит низкочастотный диапазон музыки. Проиграв лампе в среднечастотном диапазоне, звучание низов просто восхищало. Появилось желание совместить ламповое звучание с германиевыми низами.

Немного измененная классическая схема с более мощными транзисторами, оптимально подошла к динамику 10ГД-30.

Некоторые пояснения и настройка:

  • Сигнал с выхода лампового усилителя подается на вход германиевого
  • R-C фильтр НЧ первого порядка, с частотой среза 70 герц
  • R1 — регулятор уровня НЧ
  • Подбирая R2 выставляем на коллекторе VT1 -9 вольт
  • Регулируя R6 выставляем на коллекторе VT6 -20 вольт
  • R1 — регулятор уровня НЧ
  • Ток покоя выходных транзисторов задан терморезистором с «Риги». Плату развели для классического решения — два диода VD1-2 (Д311) последовательно с резистором R8 изменяя который, меняем ток покоя
  • R17 — регулируем уровень обратной связи
  • F1 — предохранитель защиты УНЧ

Для радиатора нашлась алюминиевая штуковина с грузовика советской эпохи. Болгаркой срезали выступающие части. Отмыли ацетоном машинное масло и задули черным баллончиком. Получилось неплохо. На термопасту установили мощные транзисторы — один через изолирующие втулки и слюду, второй на прямую. С изнанки радиатора закрепили терморезистор — круглый кругляш с дыркой по середине.

Блок питания простейший — мощный 40-вольтовой трансформатор от бесперебойника, далее 10-амперный диодный мост шунтирован электролитом (К50-24 2200мкф 63в) с минуса которого питающее напряжение подается на дроссельный трансформатор от телевизора. На выходе 46 вольт стабилизированного напряжения без нагрузки.

На входных клеммах и переменном резисторе запаяли фильтр НЧ, сигнал с которого через двухжильный в оплетке кабель подается на плату. Один конец оплетки припаивается на корпус резистора, второй заземляется на плате. Саму плату закрепили двумя алюминиевыми уголками. От синей калодки на плате, запитали светодиод АЛ307 через одноватный резистор на 4,7кОм.

Для герметичности все отверстия залиты черным термоклеем (на фото не показано).

На лицевой панели под левую руку регулятор уровня баса, под правую выключатель питания и для сабвуфера и для лампового усилителя. В этом случае ламповик подключается специальным силовым кабелем от бесперебойника. Между ними светодиод и три входных клеммы (левый, правый и общая земля). Использование недорогих клемм вполне оправдано — нагрузка минимальна.

За радиатором силовые разъемы и плавкий предохранитель подключенный к сетевой обмотке силового трансформатора.

В работе германиевый усилитель очень понравился. Мощные транзисторы едва теплые после 3-4 часов работы южным летним днем. Нет ни какого фона. Узнаваемый германиевый звук присутствует 🙂

Продолжение следует…

© rusavtoplus.ru, 2013-2021 | Все права защищены

Метки: Германиевый усилитель

Туннельные полевые транзисторы

Туннельные полевые транзисторы

Рахим Эсфандьярпур
12 июня 2012 г.

Представлено как курсовая работа для Ph350, Стэнфордский университет, весна 2012 г.

Рис. 1: Вверху: Схема туннельного транзистора (TFET) архитектура; Внизу: диаграмма энергетического диапазона, иллюстрирующая Условия включения и выключения TFET.

Квантовое туннелирование

Формулировка квантовой механики Шредингера представляет интересный феномен, когда частица проходит сквозь энергетический барьер, подобный затухающей волновой связи электромагнитного волны. Одна интерпретация этой двойственности включает Гейзенберга. принцип неопределенности, который определяет предел того, насколько точно положение и импульс частицы могут быть известны одновременно. Это означает, что не существует решений с вероятностью ровно ноль (или один).Следовательно, вероятность существования данной частицы на противоположная сторона промежуточного барьера не равна нулю, и такой частицы появятся - без каких-либо признаков физического перехода барьер - на «другой» стороне с частотой, пропорциональной этому вероятность.

Межполосное туннелирование

В TFET туннелирование представляет интерес между полосами туннелирование. Чтобы произошло межзонное туннелирование, электрон в валентная зона полупроводниковых туннелей через запрещенную зону до зона проводимости без помощи ловушек.Ширина запрещенной зоны действует как потенциальный барьер, через который проходит частица. Электрон переходит из зоны валанса в зону проводимости без поглощение или испускание фотона при прямом туннелировании. Туннель частица приобретает изменение импульса за счет поглощения или испускания фонона в процессе непрямого туннелирования. В непрямых полупроводниках, чьи гамма-центрированная прямая запрещенная зона E Γ , намного больше, чем их непрямая запрещенная зона, E G непрямое туннелирование является основным процесс туннелирования.Процесс прямого туннелирования незначителен в материалы с непрямой запрещенной зоной, такие как кремний, потому что пропускание вероятность быстро уменьшается с увеличением высоты барьера. В туннелирование электронов через запрещенную зону сродни туннелированию частиц через потенциальный барьер, и наиболее вероятный путь туннелирования наименьший барьер. Для прямого туннелирования требуется сохранение перпендикулярного импульса вызывает увеличение туннелирования. А частица с некоторым перпендикулярным импульсом в валентной зоне должна туннель в состояние с тем же перпендикулярным импульсом в проводимости диапазон, что приводит к более длинному пути туннелирования.В косвенном в процессе туннелирования фонон передает или поглощает изменение импульс частицы. Следовательно, электронно-фононное взаимодействие косвенный процесс туннелирования отделяет перпендикулярный импульс валентная зона и зона проводимости. Электрон в валентной зоне может туннель в любое состояние в зоне проводимости, такое что энергия и перпендикулярный импульс сохраняются:

(1)

Где β - волновой вектор фонона. Под в континуальном приближении β может иметь любое значение, так что k c⊥ не зависит от k v⊥ . Тем не менее энергия, передаваемая для передачи импульса от максимума Γ-долины к минимум X-долины поперечным акустическим фононом составляет примерно 18 мэВ. [1] Поскольку эта энергия довольно мала, приближение сделано что при фононном взаимодействии не происходит изменения полной энергии, и членом ℏω β пренебрегаем. В полевом эффекте транзисторы, туннелирование происходит с барьерами толщиной около 1-3 нм и меньше, в котором вентиль управляется через квантовое туннелирование вместо термического впрыска, снижая напряжение затвора с ∼1 вольт до 0.2 В и снижение энергопотребления до 100 раз. Если эти транзисторы можно масштабировать до микросхем СБИС, они значительно улучшить производительность интегральных схем в зависимости от мощности.

Туннельные полевые транзисторы

Туннельный полевой транзистор (TFET) относится к семейство так называемых крутосклонных устройств, которые в настоящее время исследованы для электронных приложений со сверхмалым энергопотреблением. [2] Ключ Особенностью TFET, которая имеет решающее значение для коммутации с низким энергопотреблением, является возможность обратного наклона подпорога S ниже предела 60 мВ / дек для обычных полевых транзисторов.[3]

(2)

Основная задача для коммерческой реализации конкурентоспособные TFET - это ограниченный текущий уровень, который обычно решается путем создания более высоких уровней допирования и резких профилей допирования. [4] На рис. 1 показана схема n-канальной архитектуры TFET, которая включает в себя высоколегированную область источника p +, почти собственный канал область и n + область стока.

TFET - это просто стробируемый p-i-n диод, который работает в условиях обратного смещения.В MOSFET источник Механизм впрыска носителя является термическим впрыском, но TFET использует межзонное туннелирование как механизм инжекции носителей в источник. рисунок 1 показывает диаграммы полос n-канального TFET в состояниях OFF и ON. В выключенном состоянии существует широкий потенциальный барьер между источником и канал, в результате чего туннелирование не происходит. Только очень существует небольшой ток утечки. Но когда напряжение затвора превышает пороговое напряжение, потенциальный барьер между каналом и источник становится достаточно узким, чтобы пропустить значительный туннельный ток, которое называется состоянием ВКЛ.Из-за другого носителя-источника механизм впрыска в TFET по сравнению с MOSFET, он может достичь менее 60 мВ / дек S (где S - наклон подпорога) [3]. Wang et al. [5] показали возможность использования TFET для приложений с низким энергопотреблением; несколько Сообщалось об интересных исследованиях. Zhang et al. [6] предоставили Теоретический анализ показывает, что значение S TFET может быть уменьшено ниже 60 мВ / дек.

TFET - амбиполярное устройство, оно будет показывать p-тип поведение с доминирующей дырочной проводимостью и поведение n-типа с доминирующей электронная проводимость.Но эту амбиполярность можно подавить создание асимметрии в уровне или профиле легирования, или путем ограничения движение одного типа носителей заряда с помощью гетероструктур. В В принципе, из-за асимметрии TFET могут достигать гораздо более высоких I ВКЛ -I ВЫКЛ Коэффициент при заданном размахе напряжения затвора по сравнению с MOSFET, что делает архитектуру TFET привлекательной автомобиль для реализации цифровой логики низкого напряжения питания (VDD) схемы. Когда TFET находится в выключенном состоянии (рис.1 слева), валентность край зоны канала расположен ниже края зоны проводимости источник, поэтому BTBT подавляется, что приводит к очень маленькому отключенному состоянию TFET токи, задаваемые p-i-n диодом с обратным смещением. Применяя отрицательное напряжение затвора подтягивает энергетические полосы вверх.

Проводящий канал открывается, как только канал валентная зона поднята над зоной проводимости источника, потому что теперь носители могут туннелировать в пустые состояния канала. Потому что только носители в энергетическом окне ΔΦ могут туннелировать в канал, распределение энергии носителей от источника ограничено; в высокоэнергетическая часть распределения Ферми источника эффективно отсекается выключено, как показано на рис.осталось 2). Таким образом, электронная система эффективно «охлаждается», действуя как обычный полевой МОП-транзистор при более низкой температура. Эта функция фильтрации является причиной того, что мы можем достичь значения S ниже 60 мВ на декаду (рис. 2 справа). Тем не менее валентную зону канала можно поднять небольшим изменением напряжения на затворе, и ширина туннелирования может быть эффективно уменьшена напряжением затвора. S в TFET не является постоянным, как следствие механизма BTBT, но это зависит от приложенного смещения затвор-исток, как показано на рис.2 (справа), увеличивающееся с увеличением смещения затвор-исток. В TFET S остается менее 60 мВ на декаду при токе стока на несколько порядков и поэтому у вас есть лучшее масштабирование напряжения TFET, чем у МОП-транзистор. Одна из задач в TFET - это реализовать высокие токи, потому что I НА критически зависит от вероятности передачи, T WKB , межзонного туннельного барьера. Этот барьер может можно аппроксимировать треугольным потенциалом, как показано серым штриховкой на рис.2 (слева), поэтому T можно рассчитать с помощью Приближение Вентцеля-Крамерса-Бриллюэна (ВКБ):

(3)

Где m * - эффективная масса, а E г - запрещенная зона. Здесь λ - экранирующее туннелирование. длины и описывает пространственную протяженность переходной области на интерфейс исходный канал; это зависит от конкретной геометрии устройства. В TFET, при постоянном напряжении стока, В D , В G увеличение уменьшает λ и увеличивает энергетическую разницу между зона проводимости в источнике и валентная зона в канале (ΔΦ), так что в первом приближении ток стока равен суперэкспоненциальная функция V G .В результате, в отличие от MOSFET точечный подпороговый размах TFET больше не является постоянная, но сильно зависит от V G . Самая маленькая субтепловая значения происходят при самых низких напряжениях затвора. Высокий ток требует высокая прозрачность туннельного барьера, что увеличивает TWKB, что в лучшем случае должно быть единство. Уравнение. (3) предлагает оптимизированный дизайн подходы для повышения тока. Приближение ВКБ работает правильно в полупроводники с прямой запрещенной зоной, такие как InAs, но имеют ограниченную точность для структур Si и Ge или когда квантовые эффекты и фононы помогают туннелирование становится доминирующим.

Рис. 2: Слева: схематический профиль энергетической зоны для выключено (пунктирные синие линии) и включено (красные линии) в TFET p-типа. Во включенном состоянии электроны в энергии окно ΔΦ (зеленая заливка) может туннелировать из источник зоны проводимости в валентную зону канала. Электроны в хвосте распределения Ферми не могут туннель, потому что в канале нет пустых состояний при их энергии (пунктирная черная линия), поэтому наклон менее Декада 60 мВ может быть достигнута.[7]

Оптимизация туннельных полевых транзисторов

Целями оптимизации TFET являются одновременное достичь максимально возможного I ON , самого низкого S ср. тока стока на много порядков и минимально возможного Я ВЫКЛ . Чтобы превзойти КМОП-транзисторы, целевые параметры для TFET: I ON в диапазоне сотен миллиампер; S avg намного ниже 60 мВ на десятилетие в течение пяти десятилетий тока; I ВКЛ / I ВЫКЛ > 10 5 ; и V DD G, TFET естественно оптимизирован для работы при низком напряжении.Чтобы реализовать высокий туннель ток и крутой наклон, вероятность передачи источника туннельный барьер должен стать близким к единице при небольшом изменении В Г . Приближение ВКБ предполагает, что запрещенная зона (E g ), эффективная масса носителя (m * ) и длина экранирующего туннеля (λ) должна быть минимизирована для высоких барьерная прозрачность. Тогда как E g и m * зависят только на материальной системе, λ сильно зависит от несколько параметров, таких как геометрия устройства, габариты, легирование профили и емкость затвора.Малое λ приводит к сильному модуляция полос канала гейтом. Это требует диэлектрик затвора с высокой диэлектрической проницаемостью (высокий K) с низким эквивалентом толщина оксида насколько это возможно. Кроме того, толщина корпуса канал должен быть минимизирован, показывая в лучшем случае одномерный электронное транспортное поведение. Резкость профиля легирования при туннельный переход тоже важен. Чтобы свести к минимуму туннелирование барьер, высокий уровень легирования источника должен упасть до собственного канал как можно короче.Это требует изменения концентрация легирования около 4-5 порядков на расстоянии всего несколько нанометров. Увеличение легирования источника снижает λ и может привести к немного меньшему энергетическому барьеру в туннельном переходе из-за сужения запрещенной зоны. Однако эффект фильтрации энергии описанное выше становится эффективным, только если энергия Ферми в источнике не слишком большой. [7]

Полевые транзисторы с двойным затвором

В интегрированном процессе DG-CMOS / DG-Tunnel-FET Туннельные полевые транзисторы выиграют от добавления затвора, так что ток будет быть как минимум вдвое.Таким образом, ток включения увеличивается, в то время как Ток отключения, все еще в диапазоне фемтоампер или пикоампер, увеличивается тем же фактором, но остается крайне низким. Стоит отметить, что для сверхтонких полевых МОП-транзисторов с кремнийон-изолятором (КНИ), согласно некоторым отчетам, что это улучшение может быть еще выше, когда инверсия объема требует место. [8]

Температурная зависимость туннельных полевых транзисторов

Зависимость ГИДЛ от температуры и напряжения эффект в полевых МОП-транзисторах в слабом электрическом поле.В зависимость тока ГИДЛ от электрического поля E можно выразить как

(4)

Параметр представлен как A ∝ E G -7/4 и B ∝ E G 3/2 , с шириной запрещенной зоны EG. Из уравнения. (4) ток GIDL выводится быть очень слабым в зависимости от температуры. Однако второй эффект существует при слабом электрическом поле. В слабом электрическом поле ток ГИДЛ можно описать с помощью модели Шокли-Рида-Холла (SRH), которая имеет сильную температурная зависимость.В более сильном электрическом поле ток ГИДЛ равен преобладает межполосное туннелирование, которое имеет слабую температуру зависимость. Из-за сравнимого физического принципа тока GIDL и TFET, уравнение. (4) может использоваться для отделения SRH части TFET характеристика от части Band-to-Band туннелирования. Следовательно, начиная от напряжения затвор-исток примерно -1 В туннелирование - доминирующий механизм. Как и в случае MOSFET, температура зависимость меняется с приложенным напряжением.Для полевого МОП-транзистора ноль точка температурного коэффициента может использоваться для проектирования цифровых схем, чтобы сделать производительность системы независимой от температуры. Для TFET напряжение, при котором происходит изменение температурной зависимости, равно вне допустимого диапазона. Следовательно, комбинация MOSFET и TFET может использоваться для компенсации температурных эффектов. Для аналога В схемах температурная зависимость требует более детальной проверки. Очевидно, что температурный эффект ТФЭТ более сопоставим с температурным эффектом. биполярный аппарат.Это может позволить использовать новые топологии для "запрещенной зоны". опорное напряжение цепи. [9]

Туннельные полевые транзисторы с диэлектрическим затвором с высоким k затвором

Улучшенный текущий и уменьшенный подпороговый качели можно получить путем тщательного выбора диэлектрика затвора. Кэти Boucart Et al. сравнили 3 нм физическую толщину Si 3 N 4 и два high-k диэлектрика с диэлектриком константы 21 и 29 с SiO 2 . Помимо улучшенного Ион, в результате улучшается точечный и средний подпороговый размах лучшей связи затвора, обеспечиваемой диэлектриком с высоким k.Выключено ток менее 1 фА для всех материалов. Ток туннеля FET не увеличивается просто пропорционально увеличению затвора. емкости, как у обычного полевого МОП-транзистора. Их числовые Моделирование показывает, что подпороговое колебание туннельных полевых транзисторов продолжает улучшаться по мере увеличения диэлектрической проницаемости затвора. Качели для обычный полевой МОП-транзистор достигает предела 60 мВ / декаду при комнатной температуре и не может улучшаться дальше. В то время как диэлектрики с высоким k имеют преимущества для характеристики устройства при непосредственном контакте с кремнием канал, они могут привести к дефектам на полупроводнике / диэлектрике. интерфейс.Хотя туннельные полевые транзисторы могут быть менее чувствительны к изменениям мобильность канала, чем полевые МОП-транзисторы, так как транспортировка через туннель переход преобладает над любым рассеянием в канале, стандартная CMOS технологии изготовления требуют межфазного слоя между диэлектрик и кремниевый канал

Электростатическое поле. Напряженность электростатического поля. Принцип суперпозиции полей. Вектор силовых линий E. Диполь. Дипольный момент. Дипольное поле

§ 3 Электростатическое поле.

Напряженность электростатического поля


Электрические заряды создают вокруг него электрическое поле. Поле - форма существования материи. Поле для исследования, описания его мощности, энергии и других свойств. Поле, создаваемое стационарными электрическими зарядами, называется электростатическим. Для исследования электростатического поля используйте положительный заряд контрольной точки - заряд, который не искажает исследуемое поле (не вызывает перераспределения зарядов).Если в поле, создаваемом зарядом q , положить пробный заряд q 1 , на него будет сила F 1 , а величина этой силы зависит от заряда, помещенного в данную точку. поля. Если поместить в тот же точечный заряд q 2 , то кулоновская сила F 2 ~ q 2 и т. Д.
Однако отношение кулоновской силы к величине испытательного заряда постоянно для данной точки пространства

и характеризует электрическое поле в точке пробного заряда.Эта величина называется интенсивностью и является характеристикой мощности электростатического поля. Напряженность поля - это векторная величина, которая численно равна силе, действующей на единицу положительного точечного заряда, помещенного в заданную точку поля

Направление вектора интенсивности совпадает с направлением силы.
Определим напряженность поля, создаваемого точечным зарядом q на расстоянии r от него в вакууме

§ 4 Принцип суперпозиции полей.

Силовые линии вектор


Определите величину и направление поля, создаваемого системой фиксированных зарядов q 1 , q 2 ,… q n . Чистая сила, прикладываемая полем к испытательному заряду q , представляет собой векторную сумму сил, приложенных к нему каждым из зарядов q i

Разделив на q , получим

Принцип наложения (оверлейных) полей:

Интенсивность результирующего поля, создаваемого системой зарядов, равна геометрической (векторной) сумме напряжений поля, создаваемого в этой точке каждым из зарядов в отдельности.
Электростатическое поле может быть очень четко представлено линиями интенсивности или линиями электропередачи вектора.

Вектор интенсивности силовых линий - это кривая, касательная к которой в каждой точке пространства совпадает с направлением вектора.

Принцип устройства ЛЭП:

  1. Силовые линии вектора начинаются с положительных зарядов и заканчиваются отрицательными (т. Е. Направлены от «+» к «-»).
  2. Силовые линии вектора приближаются к поверхностным зарядам под прямым углом.

3. Для количественного описания линий векторного поля проводится с определенной плотностью. Количество линий интенсивности, проходящих через единицу площади перпендикулярно линиям интенсивности, должно быть равно модулю вектора.

Однородное - это поле, вектор которого в любой точке пространства является постоянным по величине и направлению, то есть вектор параллелен силовым линиям, а их плотность постоянна во всех точках

Покраска линий, изолированные точечные заряды

§ 4 'Диполь.

Дипольный момент.

Дипольное поле


Электрический диполь представляет собой систему двух точек с противоположными зарядами (+ и -) на расстоянии ℓ.
Вектор вдоль оси диполя (линия, проходящая через два заряда) от отрицательного заряда к положительному и равен расстоянию между ними, называемый диполем ARM.

.

вектор

, совпадающий с направлением плеча диполя и произведением заряда q на плече, называется электрическим дипольным моментом или дипольным моментом .


По принципу суперпозиции напряженность поля диполя в любой точке

- поле, создаваемое положительным зарядом, - поле отрицательного заряда.
Напряженность поля на продолжении оси диполя

потому что

  1. Напряженность поля на перпендикуляре к оси восстановлена ​​из его середины

Треугольник A'B'C 'похож на треугольник ABC, поскольку равносторонний и три угла равны, поэтому

Изображение силовых линий диполя:

Понять себя - что вам нужно знать

ВВЕДЕНИЕ

Специализированный, персонализированный отчет, который вы получите после завершения процедуры понимания.com поможет вам во всех деталях понять свою личность и существенно поможет вам понять других. Это поможет вам определить, какая работа вам подходит и почему, каких людей вы, вероятно, найдете совместимыми (и несовместимыми), в чем заключаются ваши сильные и слабые стороны и, что, возможно, наиболее важно, насколько на самом деле существенны различия между людьми. Мы не только расходимся во мнениях. Мы различаемся тем, как мы воспринимаем мир, как мы фильтруем наши факты и как мы определяем наши цели и действия.Признание подлинных различий между людьми может помочь вам сориентироваться в мире и оценить поистине разнообразные точки зрения, необходимые для функционирования сложных систем общества, а также углубит ваше понимание единственного и уникального сочетания основных черт и второстепенных аспектов. которые характеризуют вас лично.

Процесс Понятная самость также позволяет вам создать отчет об отношениях с вашим романтическим партнером. После того, как вы и ваш партнер завершите свою собственную оценку, вы можете связать их, чтобы создать отчет, содержащий описание того, чего вы можете ожидать от совместных отношений.

ИСТОРИЯ

За последние пятьдесят лет специалисты по измерению личности (область, известная как психометрия) применяли передовые статистические методы, такие как факторный анализ, для изучения языка, на котором люди понимают себя и друг друга. Согласно «лексической гипотезе» - основной руководящей идее такой работы - каждый человеческий язык содержит относительно полное описание важных сходств и различий между людьми.Язык инкапсулировал такое описание, потому что люди исключительно социальны и должны понимать друг друга, чтобы эффективно сотрудничать и избегать конфликтов.

Большая часть работы, проделанной для понимания личности, была проделана с использованием прилагательных, которые люди используют для описания друг друга (таких слов, как счастливый, грустный, милый, трудолюбивый и творческий). Специалисты в области психометрии предоставили многим тысячам людей обширные списки таких прилагательных - иногда в виде отдельных слов, иногда в виде фраз, а иногда и в виде предложений, и использовали упомянутые ранее статистические методы, чтобы определить, как слова группируются вместе.Например, люди, которые склонны описывать себя как грустные, также с большей вероятностью будут описывать себя как пугливых, тревожных, неуверенных и непостоянных и с меньшей вероятностью будут описывать себя как спокойных, собранных, спокойных и стабильных. То же самое и в других сферах: милые люди сострадательны, сопереживают, заботливы и мягки, в то время как их полярные противоположности жесткие, конкурентоспособные, грубые и жесткие. В кросс-культурном отношении были определены пять таких измерений вариации («Большая пятерка»). Два только что описанных соответствуют невротизму и покладистости соответственно.Три оставшихся измерения включают экстраверсию, которая является мерой общительности; добросовестность, мера послушания и надежности; и открытость опыту, меру творчества и интереса к идеям. Процесс Понятия Самости.com, основанный на шкале личности, известной как шкала Большой Пятерки Аспектов (разработанной доктором Колином ДеЯнгом, доктором Леной Куилти и доктором Джорданом Б. Петерсоном в лаборатории доктора Петерсона), расширяет описание Большой пятерки, нарушая свести каждую из пяти черт к двум аспектам с более высоким разрешением.

Electronics Полевые транзисторы - Скачать PDF

бесплатно

Полевые транзисторы (FET)

Полевые транзисторы (FET) Литература: Hayes & Horowitz (стр. 142-162 и 244-266), Rizzoni (главы 8 и 9) В полевом транзисторе (FET) ширина проводящего канала в полупроводнике и ,

Дополнительная информация

МОП-транзистор

MOSFET-транзистор Основным активным компонентом всех кремниевых микросхем является MOSFET-металлооксидный полупроводниковый полевой транзистор. Условное обозначение G Затвор S Источник D Сток Напряжение на затворе управляет

Дополнительная информация

Полевые транзисторы

506 19 Принципы работы с полевыми транзисторами в электронике 191 Типы полевых транзисторов 193 Принципы и работа полевого транзистора с полевым транзистором 195 Важность полевого транзистора с полевым транзистором 197 в качестве усилителя 199 Существенные особенности

Дополнительная информация

Основы биполярных переходных транзисторов

Кеннет А.Kuhn 29 сентября 2001 г., ред. 1 Введение Транзистор с биполярным переходом (BJT) - это трехслойный полупроводниковый прибор с конструкцией NPN или PNP. Обе конструкции имеют идентичный

Дополнительная информация

Введение в конструкцию CMOS VLSI

Введение в проект CMOS VLSI. Слайды адаптированы из: N. Weste ,. Harris, CMOS VLSI esign, Addison-Wesley, 3 / e, 24 Введение Интегральные схемы: много транзисторов на одной микросхеме Очень крупномасштабная интеграция

Дополнительная информация

Полупроводники, диоды, транзисторы

Полупроводники, диоды, транзисторы (Хорст Валь, презентация QuarkNet, июнь 2001 г.) Электропроводность! Энергетические зоны в твердых телах! Зонная структура и проводимость Полупроводники! Собственные полупроводники!

Дополнительная информация

Диоды и транзисторы

Диоды Для чего мы используем диоды? Диоды и транзисторы защищают схемы, ограничивая напряжение (отсечение и фиксирование), превращая переменный ток в постоянный (выпрямитель напряжения) умножители напряжения (например.г. двойное входное напряжение)

Дополнительная информация

Солнечные фотоэлектрические (PV) элементы

Солнечные фотоэлектрические (ФЭ) элементы. Тема дополнения к: Микрооптические датчики Mi ti l S - МЭМС для производства электроэнергии. Наука о кремниевых фотоэлементах. Научная база для солнечной фотоэлектрической генерации электроэнергии.

Дополнительная информация

Интегральные схемы и системы

Федеральный университет Санта-Катарины Центр технологий Компьютерные науки и электроника Интегральные схемы и системы INE 5442 Лекция 11 MOSFET часть 2 guntzel @ inf.ufsc.br I D -V DS Характеристики

Дополнительная информация

Рекомендации по применению AN-940

Замечания по применению AN-940 Как МОП-транзисторы с P-каналом могут упростить схему Содержание Стр. 1. Основные характеристики силовых МОП-транзисторов с P-каналом HEXFET ... 1 2. Заземленные нагрузки ... 1 3. Переключение тотемных полюсов

Дополнительная информация

Yrd. Doç. Д-р Айтач Гёрен

h3 - переменный ток в постоянный ток Yrd.Doç. Д-р Айтач Герен ELK 2018 - Содержание W01 Основные концепции в электронике W02 Преобразование переменного тока в постоянный W03 Анализ цепей постоянного тока W04 Транзисторы и их применение (H-мост) W05 Операционные усилители

Дополнительная информация

Синтетический выпрямитель с нулевым падением напряжения

Синтетический выпрямитель с нулевым падением напряжения Вратислав Михал Технологический университет Брно, кафедра теоретической и экспериментальной электротехники Kolejní 4/2904, 612 00 Брно Чешская Республика [email protected],

Дополнительная информация

Характеристики и усилители BJT

Характеристики биполярного транзистора и усилители Мэтью Беклер [email protected] EE2002 Lab Section 003 2 апреля 2006 г. Резюме Биполярный переходной транзистор

, являющийся основным компонентом конструкции усилителя, является основным компонентом. Дополнительная информация

Глава 10 Расширенные схемы CMOS

Шлюзы передачи Глава 10 Расширенные схемы CMOS Шлюз передачи NMOS Активная схема инвертора подтягивания заставляет задуматься об альтернативных вариантах использования устройств NMOS.Рассмотрим схему, показанную в

Дополнительная информация

Диоды специального назначения

7 Специальные диоды 7.1 Стабилитрон 7.2 Светоизлучающий диод (СИД) 7.3 Напряжение и ток светодиода 7.4 Преимущества светодиода 7.5 Многоцветные светодиоды 7.6 Применение светодиодов 7.7 Фотодиод 7.8 Работа фотодиода

Дополнительная информация

УСИЛИТЕЛЬ НА JFET С ОБЩИМ ИСТОЧНИКОМ

ЭКСПЕРИМЕНТ 04 Цели: Теория: 1.Оценить усилитель с общим источником, используя эквивалентную модель слабого сигнала. 2. Узнать, что влияет на усиление напряжения. Самосмещенный n-канальный полевой транзистор JFET с AC

Дополнительная информация

МОП-конденсатор ГЛАВА ЦЕЛИ

Hu_ch05v3.fm Page 157 Friday, February 13, 2009 2:38 PM 5 МОП-конденсатор ЦЕЛИ ГЛАВЫ Эта глава позволяет глубже понять современные МОП-структуры (металлооксидные полупроводники).Ключевые темы

Дополнительная информация

Основы микроэлектроники

Основы микроэлектроники. Ч2 Почему именно микроэлектроника? Ch3 Основы физики полупроводников Ch4 Диодные схемы Ch5 Физика биполярных транзисторов CH5 Биполярные усилители CH6 Физика МОП-транзисторов

Дополнительная информация

Основы микроэлектроники

Основы микроэлектроники h2 Почему микроэлектроника? h3 Основы физики полупроводников h4 Диодные схемы h5 Физика биполярных преобразователей H5 Биполярные усилители H6 Физика МОП-транзисторов H7 MOS

Дополнительная информация

Биполярные переходные транзисторы

Биполярные переходные транзисторы Физическая структура и символы NPN-эмиттер (E) n-тип Эмиттерная область p-типа Базовая область n-тип Коллекторная область Коллектор (C) B C Эмиттер-база-переход (EBJ) База (B) (a) Коллектор-база

Дополнительная информация

Примечание по применению чип-диода

Замечания по применению чип-диода Введение Рынки портативного коммуникационного, компьютерного и видеооборудования ставят перед полупроводниковой отраслью задачу разработки электронных компонентов все меньшего размера.

Дополнительная информация

Транзисторные усилители

Physics 3330 Эксперимент № 7, осень 1999 г. Транзисторные усилители Назначение Целью этого эксперимента является разработка биполярного транзисторного усилителя с коэффициентом усиления минус 25. Усилитель должен принимать входной сигнал

Дополнительная информация

БИПОЛЯРНЫЕ ПЕРЕХОДНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

ГЛАВА 3 БИПОЛЯРНЫЕ ПЕРЕХОДНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Биполярный переходной транзистор, BJT, представляет собой цельный кремниевый элемент с двумя встречно расположенными P-N переходами.Однако это невозможно сделать с двумя независимыми, вставленными спиной к спине

. Дополнительная информация

МОП-транзисторы как переключатели

МОП-транзисторы как переключатели G (затвор) НМО-транзистор: закрыт (проводящий), когда затвор = 1 (В DD) D (сток) S (исток) Закрытые (проводящие)

Дополнительная информация

Карта контента для карьеры и технологий

Content Strand: Applied Academics CT-ET1-1 анализ электронного A.Дроби и десятичные дроби B. Степени десяти и инженерные обозначения C. Решения задач на основе формул D. Степени и корни E. Линейные уравнения

Дополнительная информация

Учебное пособие по усилителю

Учебное пособие по усилителю Содержание Учебное пособие по усилителю ... 1 Предисловие ... 1 Введение ... 1 Урок 1 Обзор полупроводников ... 2 План урока ... 2 Рабочий лист № 1 ... 7 Эксперимент № 1. ..7 Урок 2 Биполярный

Дополнительная информация

Биполярные транзисторные усилители

Physics 3330 Эксперимент № 7 Осень 2005 г. Биполярные транзисторные усилители Назначение Целью этого эксперимента является создание биполярного транзисторного усилителя с коэффициентом усиления минус 25 по напряжению.Усилитель должен

Дополнительная информация

Учебное пособие по Power MOSFET

Учебное пособие по силовому полевому МОП-транзистору Джонатан Додж, П. Менеджер по разработке приложений Advanced Power Technology 405 S.W. Columbia Street Bend, OR 97702 Введение Силовые полевые МОП-транзисторы хорошо известны своей превосходной коммутацией.

Дополнительная информация

OptiMOS 3 Силовой транзистор

Тип IPD6N3L G OptiMOS 3 Характеристики силового транзистора Полевой МОП-транзистор с быстрой коммутацией для SMPS Оптимизированная технология для преобразователей постоянного / постоянного тока Соответствует требованиям JEDEC 1) для целевых приложений Обзор продукта V DS

Дополнительная информация

% PDF-1.5 % 1 0 obj > endobj 3 0 obj > endobj 2 0 obj > endobj 4 0 obj > endobj 5 0 obj > endobj 6 0 obj > endobj 7 0 объект > endobj 8 0 объект > endobj 9 0 объект > endobj 10 0 obj > endobj 11 0 объект > endobj 12 0 объект > endobj 13 0 объект > endobj 14 0 объект > endobj 15 0 объект > endobj 16 0 объект > endobj 17 0 объект > endobj 18 0 объект > endobj 19 0 объект > endobj 20 0 объект > endobj 21 0 объект > endobj 22 0 объект > endobj 23 0 объект > endobj 24 0 объект > endobj 25 0 объект > endobj 26 0 объект > endobj 27 0 объект > endobj 28 0 объект > endobj 29 0 объект > endobj 30 0 объект > / XObject> >> / Аннотации [163 0 R 164 0 R] / Родитель 8 0 R / MediaBox [0 0 595 842] >> endobj 31 0 объект > endobj 32 0 объект > endobj 33 0 объект > endobj 34 0 объект > endobj 35 0 объект > endobj 36 0 объект > endobj 37 0 объект > endobj 38 0 объект > endobj 39 0 объект > endobj 40 0 obj > endobj 41 0 объект > endobj 42 0 объект > endobj 43 0 объект > endobj 44 0 объект > endobj 45 0 объект > endobj 46 0 объект > endobj 47 0 объект > endobj 48 0 объект > endobj 49 0 объект > endobj 50 0 объект > endobj 51 0 объект > endobj 52 0 объект > endobj 53 0 объект > endobj 54 0 объект > endobj 55 0 объект > endobj 56 0 объект > endobj 57 0 объект > endobj 58 0 объект > endobj 59 0 объект > endobj 60 0 объект > endobj 61 0 объект > endobj 62 0 объект > endobj 63 0 объект > endobj 64 0 объект > endobj 65 0 объект > endobj 66 0 объект > endobj 67 0 объект > endobj 68 0 объект > endobj 69 0 объект > endobj 70 0 объект > endobj 71 0 объект > endobj 72 0 объект > endobj 73 0 объект > endobj 74 0 объект > endobj 75 0 объект > endobj 76 0 объект > endobj 77 0 объект > endobj 78 0 объект > endobj 79 0 объект > endobj 80 0 объект > endobj 81 0 объект > endobj 82 0 объект > endobj 83 0 объект > endobj 84 0 объект > endobj 85 0 объект > endobj 86 0 объект > endobj 87 0 объект > endobj 88 0 объект > endobj 89 0 объект > endobj 90 0 объект > endobj 91 0 объект > endobj 92 0 объект > endobj 93 0 объект > endobj 94 0 объект > endobj 95 0 объект > endobj 96 0 объект > endobj 97 0 объект > endobj 98 0 объект > endobj 99 0 объект > endobj 100 0 объект > endobj 101 0 объект > endobj 102 0 объект > endobj 103 0 объект > endobj 104 0 объект > endobj 105 0 объект > endobj 106 0 объект > endobj 107 0 объект > endobj 108 0 объект > endobj 109 0 объект > endobj 110 0 объект > endobj 111 0 объект > endobj 112 0 объект > endobj 113 0 объект > endobj 114 0 объект > endobj 115 0 объект > endobj 116 0 объект > endobj 117 0 объект > endobj 118 0 объект > endobj 119 0 объект > endobj 120 0 объект > endobj 121 0 объект > endobj 122 0 объект > endobj 123 0 объект > endobj 124 0 объект > endobj 125 0 объект > endobj 126 0 объект > endobj 127 0 объект > endobj 128 0 объект > endobj 129 0 объект > endobj 130 0 объект > endobj 131 0 объект > endobj 132 0 объект > endobj 133 0 объект > endobj 134 0 объект > endobj 135 0 объект > endobj 136 0 объект > endobj 137 0 объект > endobj 138 0 объект > endobj 139 0 объект > endobj 140 0 объект > endobj 141 0 объект > endobj 142 0 объект > endobj 143 0 объект > endobj 144 0 объект > endobj 145 0 объект > endobj 146 0 объект > endobj 147 0 объект > endobj 148 0 объект > endobj 149 0 объект > endobj 150 0 объект > endobj 151 0 объект > endobj 152 0 объект > endobj 153 0 объект > endobj 154 0 объект > endobj 155 0 объект > endobj 156 0 объект > endobj 157 0 объект > endobj 158 0 объект > endobj 159 0 объект > endobj 160 0 объект > поток xVoF9hr \ ɇ4 [-H = vbl & [Ҷ ^ {ce {{o ^ / cC۳ = ۖ ߬ ݳ c [q3n4? o ^ mG ֌> NS͆5 |: Cki {6% ~ Ax "$ B) ep Gj b1) WZyS2жOddJφX9ch2X2> LHPD "| _H} h & RBv yϚM, ELuВF '=' lAwW'aWh2 # q'jJz> wL

6 шагов к раскрытию своего истинного Я

«Познание себя - начало всякой мудрости.” ―Аристотель

По-настоящему познать себя - самый важный навык, которым вы когда-либо могли обладать. Когда вы знаете, кто вы есть, вы знаете, что вам нужно делать, вместо того, чтобы искать разрешения от других делать то, что вы уже знаете, что должны делать. Это позволяет избежать множества разочарований, вызванных тем, что вы тратите время на неправильные вещи. Да, жизнь должна быть полна проб и ошибок, но это позволяет вам в первую очередь находить лучшие области для экспериментов.Когда вы познаете себя, вы станете более уверенным, поймете свою цель и начнете оказывать большее влияние на мир.

Связано: Ответьте на 6 вопросов, чтобы раскрыть цель вашей жизни

Итак, как вы можете узнать, кто вы и что вам следует делать в жизни? Вот шесть шагов, которые вам нужно сделать, чтобы познать себя:

1. Тихо.

Вы не можете и не сможете познать себя, пока не найдете время успокоиться.Многие люди не знают себя, потому что их пугает молчание; слишком неудобно оставаться наедине с каждым недостатком, смотрящим на них. Но только когда вы останетесь в одиночестве, оцените себя и будете полностью честны с собой, вы действительно сможете увидеть все грани своей жизни - хорошие и плохие. Молчи и открой свое истинное Я.

«Наблюдение за собой - необходимая отправная точка для любых реальных изменений». —Chalmers Brothers

2.Осознайте, кем вы являетесь на самом деле, а не тем, кем вы хотите быть.

Я знаю, что у вас уже есть твердое представление о том, кем вы отчаянно хотите быть, но это может быть не то, кем вы были созданы; вот почему так важно знать, кто вы есть на самом деле. Когда вы узнаете, кто вы есть, вы, наконец, увидите, где вы и ваши особые дары вписываются в общую картину.

И хотя на вашем пути есть множество моментов, которые помогут вам раскрыть себя, лучший способ начать - это пройти тест личности и тест StrengthsFinder.(Если прошло пять или более лет с тех пор, как вы выполнили какое-либо из этих действий, возьмите их еще раз.) Нет, эти самооценки не идеальны, но они точно определяют ваши основные сильные стороны, так что вы можете сосредоточиться на изменении вы должны были принести в мир.

3. Найдите то, что у вас хорошо получается (и в чем нет).

Это может быть самый сложный шаг в процессе определения того, кто вы есть, но он необходим. Конечно, нужно методом проб и ошибок найти то, в чем вы хороши, и нет, я не хочу, чтобы вы сдавались, пока у вас не было более чем достаточно попыток, но знание того, когда бросить курить, - это подарок, который нужен каждому. учиться.

Уходите, когда вы потратили достаточно времени, и ваши усилия не приносят результатов. Сколько времени? Только вы можете это решить. Но когда вы все делаете правильно, это не значит сдаваться, а освобождает место для чего-то лучшего. Когда ваши действия только истощают вас, а не вызывают больше энтузиазма и усиливают желание делать больше, это хороший знак, что пора сосредоточиться на другом. Ваши сильные стороны покажут вам, кто вы есть.

4. Найдите то, что вам нравится.

Следование любым страстям - это хорошо, и вам нужно обращать внимание, когда оно приходит, потому что оно указывает на ту область жизни, которой вам нужно уделять больше внимания.Если мы говорим о том, чтобы следовать своему увлечению в работе, это хорошо. И если мы говорим о большей страсти к жизни, это хорошо. Сосредоточьтесь больше на страсти; поймите себя лучше, и вы окажете большее влияние. Страсть порождает усилия, а постоянные усилия приводят к результатам.

5. Попросите отзыв.

Если вы не знаете себя, то полезно услышать, что о вас говорят другие. Задайте им два простых вопроса: «Как вы думаете, какие сильные стороны мне нужно развивать дальше?» и «Как вы думаете, над какими слабыми местами мне нужно работать?» Конечно, их мнение не будет идеальным, но их отзывы, вероятно, укажут на несколько областей, на которые вы должны хотя бы взглянуть еще раз.Этот шаг особенно важен для тех, кто застрял в поисках себя. Иногда самые близкие люди могут увидеть то, чего мы не могли бы увидеть в себе.

6. Оцените свои отношения.

Большой аспект познания себя можно найти в ваших отношениях. Когда вы понимаете, что никогда не узнаете никого по-настоящему, пока не откроете себя, важность познания себя становится еще более очевидной. Эта истина особенно актуальна для бизнес-лидеров, потому что, если вы не знаете людей в своей команде, вы потеряете свой лидерский статус.Но это правило распространяется и на любые отношения в вашей жизни. Почти так же, как вам нужно знать себя, другие люди также должны знать, кто вы. Ты нужен людям - настоящий ты.

Используйте свои размышления, чтобы бороться со своими самыми большими страхами, потому что, когда вы поймете, кем вы должны быть, ваша цель, наконец, станет больше, чем ваши страхи. Когда вы поймете, кто вы есть, вы потратите меньше времени на то, чтобы крутить колеса.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *